Taixing-ek garatutako eta ekoitzitako aluminiozko hipofosfito elektronikoak kalitate elektronikoko lehengaien arazketa eta doitasun-kalifikazioaren aldaketaren oinarrizko teknologia hartzen du. Araztasun handiko Al (H ₂ PO ₂) I3 erabiltzen du matrize gisa, % 99,8tik gorako purutasuna eta % 42,5eko fosforo edukiarekin. Suaren erresistentzia eraginkorra eta errendimendu elektriko bikaina konbinatzen ditu. % 6 -% 10 gehitzearekin soilik, 1,6 mm-ko lodiera UL 94 V-0 suaren aurkako erresistentea lor dezake, "substratu kutsatzaileak kutsatzen dituzte, errendimendu elektrikoa oztopatzen dute eta ezin du maila elektronikoa betetzen". Goi-mailako fabrikazio elektronikorako oinarrizko material-soluzio seguru eta betegarria eskaintzen du.
1. Garbitasun oso altua eta ezpurutasun baxuak, kalifikazio elektronikoen eskakizun zorrotzetarako egokiak
-Azken arazketa-prozesuak garbitasuna bermatzen du: "etapa anitzeko birkristalizazioa+zehaztasun-iragazpena+hutsean desgasifikatzeko" prozesuaren konbinazioa erabiliz, produktuaren purutasuna ≥ 99,8% da, industria-mailako 99% estandarra baino askoz handiagoa, kloruro ioiak bezalako ezpurutasun kaltegarriak (≤% 0,0001) eta sulfatoak (% 0,0001) saihestuz. osagai elektronikoen zirkuitu laburrak edo errendimenduaren degradazioa eragin dezaketen ezpurutasun-migrazioa.
-Ultra baxua den metal astunen hondakina: ICP-MS detekzioaren bidez, beruna, merkurioa, kadmioa eta abar bezalako metal astunen eduki osoa ≤ 0,5 ppm da, RoHS 2.0 muga-eskakizunen oso azpitik. Ez dago ftalatoen hondakinik (DEHP/BBP, etab.), kalitate elektronikoko materialen "kutsadura baxua, garbitasun handia" estandarrak betez.
-Fosforo-eduki handiek suaren atzerapen eraginkorra ahalbidetzen dute: % 42,5eko fosforo edukiarekin, suaren erresistentzia eraginkortasuna % 40 handitzen da aluminiozko hipofosfito arruntarekin alderatuta. MCA eta APP bezalako sinergistekin konposatu ondoren, PCB substratuari % 8 gehitzeak V-0 maila suaren atzerapena lor dezake substratuaren propietate dielektrikoetan eragin gabe.
2. Errendimendu elektriko bikainak gailu elektronikoen funtzionamendu egonkorra bermatzen du
-Galera dielektriko baxua eta isolamendu handia: konstante dielektrikoa (1MHz) ≤ 3,8, galera dielektrikoaren faktorea ≤ 0,005, bolumen erresistentzia ≥ 10 ¹⁴Ω· cm. Gehitzeak ez ditu substratuaren propietate elektrikoak nabarmen aldatzen, erdieroaleen bilgarrien eta maiztasun handiko komunikazio ekipoen seinalearen transmisioaren egonkortasuna bermatuz.
-Ioien aurkako migrazioaren ezaugarri nabarmenak: 85 ℃/85% RH-ko ingurune heze eta bero batean jarri ondoren 1000 orduz, ez dago ioi-migrazioaren fenomeno agerikorik, osagai elektronikoek "migrazio elektrikoaren akatsa" izatea saihestuz eta energia bateria berrien, automobilgintzako gailuen eta beste elektronika batzuen epe luzeko zerbitzu-eskakizunak betetzen.
-Ez-korrosibo eta bateragarritasun ona: pH balioa egonkorra da 3,5-4,5 artean, eta ez du eragin korrosiborik metalezko kontaktuetan eta zirkuitu plaketan. Bateragarritasun bikaina du kalitate elektronikoko substratuekin, hala nola epoxi erretxina, PA, PBT, etab., eta ez du substratuaren degradazioa edo errendimendua hondatzea eragiten.
Erdieroale eta ontzi elektronikoen arloa
-Aplikazioak: Txip erdieroaleen ontziratzeko materialak, osagai elektronikoen ontziratzeko itsasgarriak, zirkuitu integratuko karkasak
-Siliziozko mikro hauts batzuk ordezkatzeko betegarri dielektriko baxu gisa, gehigarri kopurua % 15-30 da. Jariakortasuna mantenduz, konstante dielektrikoa 0,2-0,3 murrizten du eta suaren erresistentzia hobetzen du UL94 V-0ra. CPU, GPU eta biltegiratze txip biltegiratzeko erabiltzen da.
Zirkuitu Inprimatua (PCB) eremua
-Aplikazioak: PCB substratu-materialak, kobrez estalitako sugar-iragazleak, plaken karkasak
-Galera baxuko kobrez estalitako laminatua (CCL): maiztasun handiko erretxinekin konposatua, hala nola PTFE, PPO, zianato ester, etab., E-AHP100 gehigarriarekin % 20-40ko gehikuntzarekin, Dk 3.2-3.8 eta Df<0.005 lortuz, 5G abiadura handiko milimetroko antena eta uhin-taularen eskakizunak betez.
Maila elektronikoko aluminiozko fosfatoa, osagai elektronikoetarako suaren atzeragarriak, PCB substratuetarako suaren atzeragarriak eta energia-bateria berrietarako suaren atzeragarriak bilatzen ari bazara, Taixing izango da zure bazkide onena eta prezio baxueneko lankidetza eskainiko dugu!
Helbidea
Lvye Road West, Diao Town Chemical Industry Park, Mingshui Ekonomia eta Teknologia Garapenerako Gunea, Zhangqiu, Jinan, Txina
Tel
Posta elektronikoa